英飞凌推出全新HYPERRAM™存储芯片

凌飞科技有限公司推出了一款新的HYPERRAM 3.0设备，以进一步改善其高带宽和低引脚数的内存解决方案。该设备具有新的16位扩展HyperBus接口，可将吞吐量翻倍至800MBps。随着HYPERRAM 3.0的推出，英飞凌可以提供完整的高带宽存储器产品组合，具有低引脚数和低功耗。该芯片非常适合需要扩展RAM内存的应用，包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网(AIoT)和车对车联网(V2X)，以及需要scratchpad内存进行数据密集型计算的应用。

全新HYPERRAM 3.0内存芯片

英飞凌科技汽车电子事业部高级营销和应用总监Ramesh Chettuvetty表示，“英飞凌在内存解决方案领域拥有近30年的深厚专业积累，我们很高兴为市场带来另一款业界首创的产品。新的HYPERRAM 3.0内存解决方案的每个引脚的数据吞吐量远远高于现有技术，如PSRAM和SDR DRAM。其低功耗可以在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗，因此这种存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。”

凌影HYPERRAM是一种基于PSRAM的独立易失性存储器，可以提供一种经济实用的添加扩展存储器的方式。其数据速率相当于SDR DRAM，但使用的引脚更少，功耗更低。HyperBus接口具有更高的每引脚数据吞吐量，因此它可以使用更少的微控制器、更少的引脚和更少的PCB层，为目标应用提供复杂度更低、成本更优的设计方案。

关于HYPERRAM

2017年，凌影推出了支持HyperBus接口的第一代HYPERRAM设备。第二代HYPERRAM器件于2021年推出，支持OctalxSPI和HyperBus JEDEC兼容接口，最高数据速率为400 MBps。第三代HYPERRAM设备支持新的扩展HyperBus接口，并实现800 MBps的数据速率。HYPERRAM设备的密度范围为64 Mb至512 Mb。它们通过了AEC-Q100认证，可支持高达125℃的工业和汽车温度等级。

供应情况

BGA-49封装的HYPERRAM 3.0器件现已开放订购。